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三星这次又火了一把单颗最大容量16GB的三代HBM2E显存问市

时间: 2023-08-01 01:52:56 |   作者: 热电阻

  日前,三星正式宣告推出名为Flashbolt的第三代HBM2(HBM2E)存储芯片。

  第三代HBM2存储芯片单颗最大容量16GB,由16Gb的单Die经过8层堆叠而成,可完成16GB的封装容量,并保证3.2Gbps的安稳数据传输速度。

  三星方面表明,新式16GB HBM2E特别适用于高性能核算(HPC)体系,并可协助体系制造商及时改善其超级核算机、AI驱动的数据剖析和最新的图形体系。

  三星估量第三代HBM2存储芯片将在本年上半年开端量产。三星将持续供给第二代Aquabolt产品阵型,一起扩展其第三代Flashbolt产品。

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